若宮研究室 | 京都大学化学研究所 複合基盤化学研究系 分子集合解析研究領域

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特定助教:大橋 昇
Program-Specific Assistant Professor:Dr. Noboru Ohashi


 
出身 千葉県
趣味 自転車、コーヒー
研究テーマ 有機半導体デバイスの開発

学歴

2008年 千葉大学大学院自然科学研究科 人工システム科学専攻 電子・光システム講座
分子電子物性教育研究分野 博士後期 博士(工学)

職歴

2008年産業技術総合研究所 光技術研究部門 産総研特別研究員
2008年産業技術総合研究所 太陽光発電研究センター 産総研特別研究員
2013年東北大学大学院 工学研究科 産学官連携研究員
2015年諏訪東京理科大学 工学部 ポストドクトラル研究員
2018年産業技術総合研究所 太陽光発電研究センター テクニカルスタッフ
2019年4月ー2023年12月京都大学 化学研究所 研究員
2024年1月ー現職京都大学 化学研究所 特定助教

受賞歴

2014年 応用物理学会春季学術講演会 Poster Award(18a-PA6-24)

研究課題

2014年 SPring-8利用研究課題 一般課題(産業利用分野)(2014B1631)
2016年 SPring-8利用研究課題 一般課題(産業利用分野)(2016B1632)

研究業績

20. Materials Chemistry for Metal Halide Perovskite Photovoltaics
Tomoya Nakamura, Yoshio Kondo, Noboru Ohashi, Chihiro Sakamoto, Akio Hasegawa, Shuaifeng Hu, Minh Anh Truong, Richard Murdey, Yoshihiko Kanemitsu, Atsushi Wakamiya
Bull. Chem. Soc. Jpn. 2024, 97, uoad025.
DOI: 10.1093/bulcsj/uoad025
19.  Bilayer Indium Tin Oxide Electrodes for Deformation-Free Ultrathin Flexible Perovskite Solar Cells
Noboru Ohashi, Ryuji Kaneko, Chikako Sakai, Yoko Wasai, Seiji Higuchi, Kenji Yazawa, Hirokazu Tahara, Taketo Handa, Tomoya Nakamura, Richard Murdey, Yoshihiko Kanemitsu, Atsushi Wakamiya
Sol. RRL 2023, 7, 2300221.
18.  Interface electronic structure and valence band dispersion of bis(1,2,5-thiadiazolo)-p-quinobis(1,3-dithiole) on polycrystalline Au electrodes
Y. Nakayama, K. Sudo, N. Ohashi, S. SatoshiKer, Y. Watanabe
Electron. Struct. 2021, 3, 024006.
17. Insights into Microscopic Crystal Growth Dynamics of CH3NH3PbI3 under a Laser Deposition Process Revealed by in Situ X-ray Diffraction
T. Miyadera, Y. Auchi, K. Yamamoto, N. Ohashi, T. Koganezawa, H. Yaguchi, Y. Yoshida, M. Chikamatsu
ACS Appl. Mater. Interfaces 2021, 13, 22559.
16. Evaluation of exciton diffusion length in highly oriented fullerene films of fullerene/ p-Si(100) hybrid solar cells
N. Ohashi, T. Miyadera, T. Taima, Y. Yoshida
Jpn. J. Appl. Phys. 2019, 58, 121004.
15. Semiconducting silicon-tin alloy nanocrystals with direct bandgap behavior for photovoltaic devices
M. Lozac’h, V. Svrcek, S. Askari, D. Mariotti, N. Ohashi, T. Koganezawa, T. Miyadera, K. Matsubara
Mater. Today Energy 2018, 7, 87.
14. Epitaxial Growth of C60 on Rubrene Single Crystals for a Highly Ordered Organic Donor/Acceptor Interface
H. Mitsuta, T. Miyadera, N. Ohashi, Y. Zhou, T. Taima, T. Koganezawa, Y. Yoshida, and M. Tamura
Cryst. Growth Des. 2017, 17, 4622.
13. Epitaxial growth of atomically flat KBr(111) films: Via a thin film ionic liquid in a vacuum
M. Yamauchi, S. Maruyama, N. Ohashi, K. Toyabe, Y. Matsumoto
CrystEngComm 2016, 18, 3399.
12. Ionic liquid-assisted growth of DBTTF-TCNQ complex organic crystals by vacuum co-deposition
K. Kuroishi, S. Maruyama, N. Ohashi, M. Watanabe, K. Naito, and Y. Matsumoto
Cryst. Growth 2016, 453, 34.
11. Morphological analysis of co-evaporated blend films based on initial growth for organic photovoltaics
Y. Shibata, T. Taima, Y. Zhou, N. Ohashi, T. Kono, Y. Yoshida
Appl. Surf. Sci. 2015, 355, 1261.
10. Study on interactions among ortho-biphenyl groups in oligothiophene for structural control of bulk heterojunction films
Y. Shibata, T. Kono, N. Ohashi, Y. Yoshida
Thin Solid Films 2015, 583, 163.
9. Direct effect of partially photooxidized poly(3-hexylthiophene) on the device characteristics of a bulk hetero junction solar cell
Y. Aoyama, T. Yamanari, N. Ohashi, Y. Shibata, Y. Suzuki, J. Mizukado, H. Suda, Y. Yoshida
Sol. Energy Mater. Sol. Cells 2014, 120, 584.
8. Elucidation of Formation Mechanism of Bulk Heterojunction Active Layer by Real-Time UV-Visible Absorption and Grazing-Incidence Wide-Angle X-ray Scattering
K. Sasaki, T. Yamanari, N. Ohashi, H. Ogo, Y. Yoshida, and Yasukiyo Ueda
Appl. Phys. Express 2013, 6, 041601.
7. MgxC60 Fabricated by Using Mg:C60 Co-evaporation Method for Carrier Doping
N. Ohashi, T. Miyadera, T. Taima, and Y. Yoshida
Mol. Cryst. Liq. Cryst. 2011, 538, p.193.
6. Anisotropy of electrical conductivity in a pentacene crystal grain on SiO2 evaluated by atomicforce-microscope potentiometry and electrostatic simulation
N. Ohashi, H. Tomii, M. Sakai, K. Kudo, and M. Nakamura
Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 203302.
5. Extrinsic limiting factors of carrier transport in organic field-effect transistors
M. Nakamura, H. Ohguri, N. Goto, H. Tomii, M. Xu, T. Miyamoto, R. Matsubara, N. Ohashi, M. Sakai, and K. Kudo
Appl. Phys. A Mater. Sci. Process. 2009, 95, 73.
4. Analysis of barrier height at crystalline domain boundary and in-domain mobility in pentacene polycrystalline films on SiO2
R. Matsubara, N. Ohashi, M. Sakai, K. Kudo, M. Nakamura
Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 2.
3. Conductivity fluctuation within a crystalline domain and its origin in pentacene thin-film transistors
N. Ohashi, H. Tomii, R. Matsubara, M. Sakai, K. Kudo, and M. Nakamura
Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 162105.
2. Fabrication and Device Simulation of Single Nano-Scale Organic Static Induction Transistors
N. Ohashi, M. Nakamura, N. Muraishi, M. Sakai, and K. Kudo
IEICE Trans. Electron. 2006, E89-C, 1765.
1. Potential mapping of pentacene thin-film transistors using purely electric atomic-force-microscope potentiometry
M. Nakamura, N. Goto, N. Ohashi, M. Sakai, and K. Kudo
Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 122112.